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高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-09-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  陈振
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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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族氮化物材料生长和特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  陈振
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈振宇;  王幼林;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李昱峰;  陈振;  韩培德;  王占国
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