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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu, Jingmin; He, Zhi; Guo, Zhiyu; Tian, Run; Wang, Fengxuan; Liu, Min; Yang, Xiang; Fan, Zhongchao; Yang, Fuhua
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo, Zhiyu; Wu, Jingmin; Tian, Run; Wang, Fengxuan; Xu, Pengfei; Yang, Xiang; Fan, Zhongchao; Yang, Fuhua; He, Zhi
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Min Liu; Shuyuan Zhang; Xiang Yang; Xue Chen; Zhongchao Fan; Xiaodong Wang; Fuhua Yang; Chao Ma; Zhi He
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yanan Liang; Lifang Jia; Zhi He; Zhongchao Fan; Yun Zhang; Fuhua Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lifang Jia; Wei Yan; Zhongchao Fan; Zhi He; Xiaodong Wang; Guohong Wang; Fuhua Yang
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| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华
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| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华
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| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
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