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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄亚军; 刘志强 ; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜; 李晋闽
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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 伊晓燕; 郭金霞; 马龙; 王立彬; 陈宇; 刘志强; 王良臣
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| 发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 孙波; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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