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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai AQ; Hu D; Ding WC; Su SJ ; Hu WX; Xue CL; Fan ZC; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma XT (Ma Xiao-Tao); Zheng WH (Zheng Wan-Hua); Ren G (Ren Gang); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Chen CH (Chen Chang-Hui); Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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| 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 王章涛; 陈媛媛; 李艳萍
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| 一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 杨笛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen YY; Yu JZ; Chen SW; Fan ZC; Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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| ICP刻蚀技术及其在SOI波导器件制作中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 樊中朝
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| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜
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| SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242349.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 陈少武; 程勇鹏; 任光辉; 樊中朝
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| 用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102097535A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 陈熙; 樊中朝; 李宁; 宋国锋; 陈良惠
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