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SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法
陈少武; 程勇鹏; 任光辉; 樊中朝
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法,包括:在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层;通过光刻工艺,在二氧化硅层上面形成掩膜图形,该掩膜图形的一端为矩形,另一端为锥形通过刻蚀工艺,将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀,刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域;去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形,形成样品;对上述的样品进行氧化,将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅,氧化到预定高度,从而形成脊型波导的平板区;被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅,形成脊型波导的内脊区;而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅,形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构,完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910242349.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910242349.5
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21993
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈少武,程勇鹏,任光辉,等. SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法. CN200910242349.5.
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