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A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yu JZ;  Chen BW;  Yu Z;  Wang QM;  Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Gap/si Heterostructure  Gs-mbe  Lattice Match  X-ray Double Crystal Diffraction  Photoluminescence (Pl)  
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yu Z;  Yu JZ;  Cheng BW;  Lei ZL;  Li DZ;  Wang QM;  Liang JW;  Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Si1-ycy Alloys  Ion implantatIon  Solid Phase Epitaxy Recrystallization  
Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Cheng BW;  Yu JZ;  Yu Z;  Lei ZL;  Li DZ;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu ZY;  Lu ZD;  Yuan ZL;  Yang XP;  Zheng BZ;  Xu JZ;  Ge WK;  Wang Y;  Wang J;  Chang LL;  Xu ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴正龙;  余金中;  成步文;  于卓;  李晓文;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  余金中;  王启明
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