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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chen NF;  Zhang FQ;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  张志成;  陈诺夫;  林兰英
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