SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
二元高-k材料研究进展及制备
周剑平; 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 张志成; 陈诺夫; 林兰英
2002
Source Publication功能材料
Volume33Issue:5Pages:462-464
Abstract随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4,Ta2O5,TiO2,ZrO2,Y2O3,Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法;蒸发法,化学气相沉积和离子束沉积。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家973基金资助项目(G2 365 5)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1227132
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17791
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周剑平,柴春林,杨少延,等. 二元高-k材料研究进展及制备[J]. 功能材料,2002,33(5):462-464.
APA 周剑平.,柴春林.,杨少延.,刘志凯.,张志成.,...&林兰英.(2002).二元高-k材料研究进展及制备.功能材料,33(5),462-464.
MLA 周剑平,et al."二元高-k材料研究进展及制备".功能材料 33.5(2002):462-464.
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