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多功能半导体晶片键合装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  石岩;  宋国峰;  郑婉华;  陈良惠
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用于键合的清洗和干燥装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  石岩;  杨国华;  郑婉华;  陈良惠
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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  宋国锋;  石岩;  郑婉华;  陈良惠
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一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY (Li R. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Guo X (Guo X.);  Chen M (Chen M.);  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ryli@red.semi.ac.cn
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