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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1107/191
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提交时间:2009/06/11
应用自聚焦透镜阵列的并行光发射模块及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
申荣铉
;
毛陆虹
;
唐君
;
裴为华
;
高鹏
Adobe PDF(650Kb)
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浏览/下载:1027/174
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提交时间:2009/06/11
与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
毛陆虹
;
李伟
;
陈弘达
;
高鹏
;
孙增辉
;
陈永权
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浏览/下载:1078/164
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提交时间:2009/06/11
一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张志成
;
杨少延
;
黎大兵
;
刘祥林
;
陈涌海
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1297/165
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BY
;
Li G
;
Chen M
;
Yu HJ
;
Wang YG
;
Ma XY
;
Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbingyuan@sina.com.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gan Q
;
Song G
;
Xu Y
;
Yang G
;
Li Y
;
Cao Q
;
Ma W
;
Gao J
;
Chen L
;
Gan, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gqq@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:818/255
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HY
;
Zhao FA
;
Chen NX
;
Liu G
;
Wang, HY, Tsing Hua Univ, Dept Phys, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanghuaiyu@mail.tsinghua.edu.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL
;
Wang CM
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Chen TS
;
Jiao G
;
Li JP
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
;
cmwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1583/765
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu W
;
Li DB
;
Li CR
;
Chen G
;
Zhang Z
;
Lu, W, Jilin Univ, Coll Mat Sci & Engn, Dept Mat Sci, Changchun 130012, Peoples R China. 电子邮箱地址: lw@chen.ac.cn
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浏览/下载:928/243
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
康志龙
;
辛国锋
;
陈国鹰
;
谢红云
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提交时间:2010/11/23