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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY (Zhang Bingyuan);  Li G (Li Gang);  Chen M (Chen Meng);  Wang GJ (Wang Guoju);  Wang YG (Wang Yonggang);  Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: bingyuanzhang@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS (Xu Xingsheng);  Chen HD (Chen Hongda);  Xiong ZG (Xiong Zhigang);  Jin AZ (Jin Aizi);  Gu CZ (Gu Changzhi);  Cheng BY (Cheng Bingying);  Zhang DZ (Zhang Daozhong);  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY;  Li G;  Chen M;  Yu HJ;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbingyuan@sina.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS;  Wang YQ;  Chen HD;  Cheng BY;  Zhang DZ;  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Opt Phys Lab, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张丙元;  陈檬;  李港;  郭晓萍;  于海娟;  宋海平;  王勇刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张丙元;  李港;  陈檬;  于海娟;  夏军海;  郭晓萍;  任锋;  王勇刚;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  张丙元;  陈檬;  李港
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈檬;  张丙元;  李港;  王勇刚
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Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method  Growth From Melt  Semiconductor Silicon  Argon Gas Flow  Computer Simulation  Oxygen Content  Furnace Pressure  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Ma XY;  Li CY;  Zhang ZG;  Zhang BY;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 1000383,Peoples R China.
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