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Hybrid CMOS/VCSEL optoelectronic modules 会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:  Chen HD;  Mao LH;  Tiang J;  Liang K;  Du Y;  Huang YZ;  Wu RG;  Feng J;  Ke XM;  Liu HY;  Wang ZG;  Li SR;  Li ZY;  Guo WL;  Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Vcsel  Cmos  Mcm  Optoelectronic Integration  Smart Pixels  Optical Interconnects  Smart  
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Lan Q;  Kong YC;  Zhou DY;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Ingaas Islands  Photolumineseence  Line-width  1.3 Mu-m  Inas/gaas Quantum Dots  Optical-properties  Cap Layer  Gaas  Luminescence  Strain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XD;  Niu ZC;  Feng SL;  Miao ZH;  Niu ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Crystal Morphology  Quantum Dots  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Gallium Arsenide  Semiconducting Indium Gallium Arsenide  1.35 Mu-m  Gaas-surfaces  Photoluminescence  Islands  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Qu B;  Wang YT;  Feng ZH;  Han JY;  Yang H;  Liang JW;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,R&D Ctr Optoelec Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu Y;  Yang H;  Zhao DG;  Zheng XH;  Li SF;  Sun YP;  Feng ZH;  Wang YT;  Duan LH;  Fu Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Feng ZH;  Han JY;  Liu S;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Feng ZH;  Liu SA;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Labs Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Xu SJ;  Li Q;  Feng SL;  Wang H,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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