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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1110/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林 Adobe PDF(1377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1032/119  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣 Adobe PDF(842Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:936/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/305  |  提交时间:2010/11/23 |