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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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一种适合于大批量生产的激光器COD消除方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑凯;  马骁宇;  林涛;  刘素平;  张广泽
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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑凯;  马骁宇;  林涛;  刘素平;  张广泽
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背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
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半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  马骁宇
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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Bai YM;  Cao L;  Wu DJ;  Ma XY;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangjun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Ma XY;  Cao L;  Wu DJ;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Dev, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangjun@mail.semi.ac.cn
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