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| 半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基
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| 折射率渐变的光子晶体发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人: 赵玲慧; 马平; 甄爱功; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种微机械谐振器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 杨晋玲; 赵晖; 骆伟; 袁泉; 杨富华
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 一种频率可切换的微机械谐振器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 赵晖; 杨晋玲; 杨富华
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| 频率可切换的微机械谐振器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 赵晖; 杨晋玲; 骆伟; 杨富华
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| MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人: 赵晖; 杨晋玲; 骆伟; 杨富华
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| 频率可调的MEMS谐振器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-02
发明人: 骆伟; 赵晖; 袁泉; 杨晋玲; 杨富华
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| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉
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