SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
折射率渐变的光子晶体发光二极管结构
赵玲慧; 马平; 甄爱功; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-06-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-03-25
申请号CN201310095993.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25781
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
赵玲慧,马平,甄爱功,等. 折射率渐变的光子晶体发光二极管结构.
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