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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  倪海桥;  丁颖;  徐应强;  李密锋;  喻颖;  査国伟;  徐建新;  牛智川
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  张立春;  王国伟;  张宇;  徐应强;  倪海桥;  牛智川
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