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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
江德生 [4]
谭平恒 [1]
张加勇 [1]
张艳华 [1]
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1997 [1]
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语种
英语 [6]
出处
1997 IEEE ... [1]
COMMAD 200... [1]
GAN AND RE... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
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收录类别
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资助机构
Ansto Sims... [1]
China Natl... [1]
IEEE Elect... [1]
TMS. [1]
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:
Xu ZY
;
Luo XD
;
Yang XD
;
Tan PH
;
Yang CL
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Gaas1-xnx
Photoluminescence
Relaxation
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Temperature Photoluminescence
Quantum-well
Alloys
Relaxation
Gaas1-xnx
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Yu GH
;
Fan XW
;
Guan ZP
;
Zhang JY
;
Zhao XW
;
Shen DZ
;
Zheng ZH
;
Yang BJ
;
Jiang DS
;
Chen YB
;
Zhu ZM
;
Yu GH Chinese Acad Sci Lab Excited State Proc Changchun 130021 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Double Multi-quantum Wells
Photocurrent Spectra
Zncdse-znse
Spectroscopy
Photoluminescence
Heterostructures
Photodetectors
Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者:
Wu WG
;
Jiang DS
;
Cui LQ
;
Song CY
;
Zhuang Y
;
Wu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15