×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
1999 [2]
语种
英语 [5]
出处
PHYSICA ST... [1]
PHYSICA ST... [1]
RARE-EARTH... [1]
SOLID STAT... [1]
Ultrafast ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
SPIE.; Chi... [1]
SPIE.; Def... [1]
会议主办方: UNI... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(954Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1778/511
  |  
提交时间:2010/03/09
Hvpe
Gan
Nitridation
Polarity
Etching
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(305Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1690/401
  |  
提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1410/261
  |  
提交时间:2010/11/15
Optical-absorption
Zns-te
Transition
Edge
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
RARE-EARTH-DOPED MATERIALS AND DEVICES III, 3622, SAN JOSE, CA, JAN 27-28, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(461Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1592/368
  |  
提交时间:2010/10/29
Er-doped Silica Glass
Sol-gel Process
Photoluminescence
Planar Wave-guides
Molecular-beam Epitaxy
Crystal Silicon
Implanted Si
Luminescence
Electroluminescence
Fabrication
Impurities
Films
Ions
Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 211 (1), THESSALONIKI, GREECE, AUG 09-13, 1998
作者:
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Liu NZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(222Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1125/186
  |  
提交时间:2010/11/15
Absorption-edge
Strains
Zns