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| 发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜
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| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 杨辉
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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| 一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 毛德丰; 李维; 王维颖; 金鹏; 王占国
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| 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 杨敏; 种明; 赵德刚; 王晓勇; 苏艳梅; 孙捷; 孙秀艳
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| 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
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| 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 张连; 张韵; 王军喜; 李晋闽
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