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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 　
发明人:  姜丽娟
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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制备稀磁半导体Ga 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈晨龙;  陈诺夫;  吴金良
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Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102351236A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  赵婧;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102351229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  赵婧;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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