×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
江德生 [1]
谭平恒 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
2001 [8]
语种
英语 [8]
出处
PROCEEDING... [2]
APOC 2001:... [1]
CHINESE PH... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHYSICA ST... [1]
PHYSICA ST... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [8]
资助机构
Int Union ... [2]
China Natl... [1]
Hokkaido U... [1]
Kanazawa C... [1]
SPIE.; Chi... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
发表日期:2001
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Huang CJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(222Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1384/297
  |  
提交时间:2010/10/29
Ge/si Islands
Quantum Dot
Band Alignment
Pl
Si/si1-xgex Quantum-wells
Stranski-krastanov Growth
Ii Band Alignment
Ge Islands
Temperature-dependence
Photoluminescence
Layers
Luminescence
Organization
Mechanism
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:1234/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy
Ingaas Islands
Photolumineseence
Line-width
1.3 Mu-m
Inas/gaas Quantum Dots
Optical-properties
Cap Layer
Gaas
Luminescence
Strain
Photoluminescence from carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Han HX
;
Li GH
;
Ge WK
;
Wang ZP
;
Xu ZY
;
Xie SS
;
Chang BH
;
Sun LF
;
Wang BS
;
Xu G
;
Su ZB
;
Han HX Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:898/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Electronic-structure
Observation of the resonant Raman behavior of individual single-walled carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Tan PH
;
Tang Y
;
Hu CY
;
Li F
;
Bai S
;
Cheng HM
;
You JQ
;
Tan PH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:1194/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Electric-arc Technique
Large-scale
Scattering
Spectra
Stokes
Modes
Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering
会议论文
CHINESE PHYSICS, 10, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 30-NOV 02, 2000
作者:
Liu JW
;
Xie FQ
;
Zhong DY
;
Wang EG
;
Liu WX
;
Li SF
;
Yang H
;
Liu JW Chinese Acad Sci Inst Phys State Key Lab Surface Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:883/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Luminescence
Sic
Nanocrystalline Film
Rf Sputtering
Raman-scattering
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Chen Y
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Sun XL Ohio State Univ Dept Elect Engn Columbus OH 43210 USA.
Adobe PDF(110Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1257/285
  |  
提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Luminescence
Bulk
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223 (1), SAPPORO, JAPAN, SEP 24-28, 2000
作者:
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(165Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1272/322
  |  
提交时间:2010/11/15
Hydrostatic-pressure
Photoluminescence
Gaas
Luminescence
Growth
Insb
Gasb
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(112Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1147/261
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn