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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  査国伟;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
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采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-19
发明人:  査国伟;  牛智川;  倪海桥;  尚向军;  贺振宏
Adobe PDF(236Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：703/118  |  提交时间：2014/11/05