|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 段瑞飞 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
 Adobe PDF(435Kb) |  收藏 | 浏览/下载：2466/550 | 提交时间：2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
Adobe PDF(328Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1178/330 | 提交时间：2011/08/16 |
| 一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(479Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1618/296 | 提交时间：2010/03/19 |
| 一种氮化物材料的外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(309Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1410/239 | 提交时间：2010/03/19 |
| 一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(542Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1247/199 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wang JX; Zeng YP; Li JM; Yang Y; Liu YL; Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(292Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1127/294 | 提交时间：2010/03/08 |
| 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(541Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1214/215 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(616Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1488/234 | 提交时间：2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
Adobe PDF(687Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1624/178 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
Adobe PDF(900Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2420/467 | 提交时间：2010/11/23 |
