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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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GaAs 基InAlAs/InGaAs MM-HEMT 材料生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
Authors:  高宏玲
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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性 期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2481-2485
Authors:  商丽燕;  林铁;  周文政;  黄志明;  李东临;  高宏玲;  崔利杰;  曾一平;  郭少令;  褚君浩
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两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律 期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: 3818-3822
Authors:  商丽燕;  林铁;  周文政;  郭少令;  李东临;  高宏玲;  崔利杰;  曾一平;  褚君浩
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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应 期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 8, 页码: 5232-5236
Authors:  商丽燕;  林铁;  周文政;  李东临;  高宏玲;  曾一平;  郭少令;  俞国林;  褚君浩
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双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147
Authors:  周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  朱博;  崔利杰;  高宏玲;  李东临;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
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InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4099-4104
Authors:  周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  崔利杰;  李东临;  高宏玲;  曾一平;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
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不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4955-4959
Authors:  高宏玲;  李东临;  周文政;  商丽燕;  王宝强;  朱战平;  曾一平
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