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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1535/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 行波电极电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周敬涛; 王宝军; 朱洪亮 Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1337/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1705/236  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1561/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周盛华; 吴南健; 杨志超 Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1159/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周盛华; 吴南健 Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1043/149  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1410/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/168  |  提交时间:2009/06/11 |