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在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孟焘;  朱贤方;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘明;  陈晓红;  徐征;  滕枫;  衣立新;  高德文;  郭立群
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  李国华;  CHEN Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国华;  陈晔;  方再利;  马宝珊;  苏付海;  丁琨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谷锦华;  周玉琴;  朱美芳;  李国华;  丁琨;  周炳卿;  刘丰珍;  刘金龙;  张群芳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周炳卿;  刘丰珍;  朱美芳;  谷锦华;  周玉琴;  刘金龙;  董宝中;  李国华;  丁琨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  钟立志;  张维佳;  崔敏;  吴小文;  李国华;  丁琨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘仕锋;  秦国刚;  尤力平;  张纪才;  傅竹西;  戴伦
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