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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [8]
作者
江德生 [4]
韩培德 [2]
文献类型
会议论文 [8]
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2008 [1]
2002 [1]
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1998 [4]
语种
英语 [8]
出处
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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1904/511
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提交时间:2010/03/09
Hvpe
Gan
Nitridation
Polarity
Etching
Correlation between Er3+ emission and the microstructure of a-SiOx : H < Er > films
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1183/182
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提交时间:2010/11/15
Hydrogenated Amorphous-silicon
Photoluminescence
Luminescence
Intensity
System
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang JN
;
Sun BQ
;
Wang XR
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Jiang DS
;
Wang HL
;
Wang JN Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Superlattices
Gaas/alas
Electric Field Domains
Tunnelling
Oscillations
Self-sustained oscillations caused by magnetic field in a weakly-coupled GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA B, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Sun BQ
;
Wang JN
;
Jiang DS
;
Wu JQ
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1374/228
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提交时间:2010/11/15
Transverse Magnetic Field
Field Domains
Self-sustained Oscillations
Semiconductors
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Duan SK
;
Teng XG
;
Han PD
;
Lu DC
;
Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Diodes
Growth and characterization of GaN on LiGaO2
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 195 (1-4), LA JOLLA, CALIFORNIA, MAY 31-JUN 04, 1998
作者:
Duan SK
;
Teng XG
;
Han PD
;
Lu DC
;
Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Diodes
Formation mechanism of electric field domains
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 43-4, LISBON, PORTUGAL, MAY 19-21, 1997
作者:
Sun BQ
;
Liu ZX
;
Jiang DS
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 10083 Peoples R China.
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浏览/下载:1134/210
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提交时间:2010/11/15
Electric Field Domains
Gamma-gamma Resonant Tunnelling
Gamma-x Resonant Tunnelling
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997, 156, SAN DIEGO, CALIFORNIA, SEP 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
;
Ramsteiner M
;
Brandt O
;
Ploog KH
;
Tews H
;
Graber A
;
Averbeck R
;
Riechert H
;
Jiang DS Paul Drude Inst Solid State Elect D-10117 Berlin Germany.
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提交时间:2010/11/15
Shallow Donors