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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体... [108]
作者
于芳 [3]
韩伟华 [1]
汪炼成 [1]
文献类型
会议论文 [108]
发表日期
2009 [3]
2008 [11]
2007 [7]
2006 [4]
2005 [5]
2004 [14]
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语种
英语 [108]
出处
2004 7TH I... [8]
INTERNATIO... [7]
AMORPHOUS ... [4]
1998 5TH I... [3]
2008 5TH I... [3]
2008 9TH I... [3]
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资助项目
收录类别
CPCI-S [108]
资助机构
Chinese In... [8]
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China Opt ... [3]
Chinese In... [3]
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共108条,第1-10条
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收录类别:CPCI\-S
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者:
Yu, JZ
;
Han, GQ
;
Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Polarization-Independent Micro-Ring Resonator on Silicon-on-Insulator
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Geng, MM
;
Jia, LX
;
Zhang, L
;
Yang, L
;
Liu, YL
;
Li, F
;
Geng, MM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Syst Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Wave-guides
Devices
Design
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Zhou, W, CAS, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test Fracture Property
Silicon Carbide Thin Films
Weibull Distribution Function
Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Li, Y
;
Yang, FH
;
Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test
Fracture Property
Silicon Nitride
Weibull Distribution Function
High Q microring resonator in silicon-on-insulator rib waveguides - art. no. 68380J
会议论文
OPTOELECTRONIC DEVICES AND INTEGRATION II, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2007
作者:
Huang, QZ
;
Yu, JZ
;
Chen, SW
;
Xu, XJ
;
Han, WH
;
Fan, ZC
;
Huang, QZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Resonator
Silicon-on-insulator
Quality Factor
Propagation Loss
Study of Si/SiO2 hybrid antireflective coatings on SLD prepared by DSEBET - art. no. 69842P
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Sun, MX
;
Tan, MQ
;
Zhao, M
;
Sun, MX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Antireflective Coatings
Superluminescent Diodes
Double Source Electron Beam Evaporation Technology
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
;
Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Soi
Mosfet