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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1689/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1585/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川 Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1696/492  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1409/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaAs 基InAs/GaSb II 型超晶格红外探测材料与器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 郝瑞亭 Adobe PDF(3168Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1148/61  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川 Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1025/379  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu Zhichuan); Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1046/304  |  提交时间:2010/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu, Zhichuan); Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(618Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1069/311  |  提交时间:2010/03/29 |