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| 硅基激光雷达的激光光源研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 马建滨
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| 无权访问的条目 学位论文 作者: 马建滨
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 祝梦遥; 鲁军; 马佳淋; 李利霞; 王海龙; 潘东; 赵建华
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Huang JL (Huang Jian-Liang); Wei Y (Wei Yang); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Yang T (Yang Tao); Chen LH (Chen Liang-Hui); Wei, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张雪; 赵鹏飞; 李强; 刘波; 马建军
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 自动搅拌滴料桶 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 王大拯; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘秀英; 张海艳; 赖剑雷; 刘素平; 马骁宇
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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李国华; 马宝珊; 王文杰; 苏付海; 丁琨; 赵建华; 邓加军; 蒋春萍
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