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| 二元判定图器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴南健; 陆江; 刘肃; 邝小飞 Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1307/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平 Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1270/230  |  提交时间:2012/08/29 |
| 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910084159.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘祯; 段垚; 王晓峰; 曾一平 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1482/269  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010143078.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 杨华; 刘祯; 曾一平; 王国宏 Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1418/241  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010141024.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 段垚; 刘祯; 曾一平 Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1367/254  |  提交时间:2011/08/31 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2606/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2576/513  |  提交时间:2012/08/29 |
| 碳化硅PIN微结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 孙国胜; 吴海雷; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2466/495  |  提交时间:2012/08/29 |
| 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07 发明人: 刘雯; 王晓东; 程凯芳; 马慧丽; 王晓峰; 徐锐; 杨富华 Adobe PDF(3017Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1292/290  |  提交时间:2012/09/07 |