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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
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在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平
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Room temperature continuous-wave electrically-injected InGaAsP triangle and square microlasers 会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7158, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 16-19, 2008
作者:  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Che KJ (Che Kai-Jun);  Yang YD (Yang Yue-De);  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Hu YH (Hu Yong-Hong);  Du Y (Du Yun)
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High-Order Microring Filters on SOI Wafer 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Wang SJ (Wang Shi-Jun);  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Wang, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Li F;  Feng L;  Xiao H;  Liu YL;  He J Chinese Acad Sci Inst Semicond Optoelect Syst Lab A35,QingHua E Rd,POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hejun07@semi.ac.cn
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