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| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强 Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1324/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于仿生模式识别原理的说话人识别方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王守觉; 黄翼; 曹瑜 Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1004/143  |  提交时间:2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1627/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于高维空间点分布分析法的图像复原方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王守觉; 曹瑜; 黄翼 Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1107/154  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平 Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1378/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东 Adobe PDF(515Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1298/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴巨; 王宝强; 朱战平; 曾一平 Adobe PDF(296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 梁平; 王晓晖 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1278/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1469/197  |  提交时间:2009/06/11 |