采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法
王良臣; 伊晓燕; 刘志强
2007-09-26
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-03-24
语种中文
申请号200610058414
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3875
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王良臣,伊晓燕,刘志强. 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法[P]. 2007-09-26.
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