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硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张宝顺;  杨辉
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氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  杨辉
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小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明
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氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明
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氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯淦;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张纪才;  王建峰;  王玉田;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈俊;  张书明;  张宝顺;  朱建军;  冯淦;  段俐宏;  王玉田;  杨辉;  郑文琛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李娜;  赵德刚;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王俊;  赵德刚;  刘宗顺;  伍墨;  金瑞琴;  李娜;  段俐宏;  张书明;  朱建军;  杨辉
Adobe PDF(187Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1076/372  |  提交时间:2010/11/23