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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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GaSb 和GaN 基稀磁半导体的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  张富强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张富强;  陈诺夫;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张思霞;  孙佳胤;  易万兵;  陈静;  金波;  陈猛;  张正选;  张国强;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  付圣贵;  范万德;  李强;  袁树忠;  董孝义;  宋晏蓉;  张志刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  倪海桥;  徐晓华;  张纬;  徐应强;  牛智川;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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