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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
韩培德 [3]
文献类型
期刊论文 [6]
专利 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2002 [9]
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中文 [9]
出处
中国稀土学报 [2]
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收录类别
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发表日期:2002
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高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-09-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩培德
;
陈振
Adobe PDF(366Kb)
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浏览/下载:1143/164
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提交时间:2009/06/11
Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
袁海荣
;
王占国
Adobe PDF(593Kb)
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浏览/下载:1319/174
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提交时间:2009/06/11
族氮化物材料生长和特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:
陈振
Adobe PDF(1370Kb)
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浏览/下载:814/43
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
韩培德
;
刘祥林
;
袁海荣
;
陈振
;
李昱峰
;
陆沅
;
汪度
;
陆大成
;
王占国
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浏览/下载:895/305
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈长勇
;
陈维德
;
王永谦
;
宋淑芳
;
许振嘉
;
郭少令
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浏览/下载:818/253
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈振宇
;
王幼林
;
祝宁华
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浏览/下载:975/404
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
宋淑芳
;
陈维德
;
陈长勇
;
许振嘉
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浏览/下载:971/306
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈维德
;
陈长勇
;
宋淑芳
;
许振嘉
Adobe PDF(354Kb)
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浏览/下载:1020/312
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李昱峰
;
陈振
;
韩培德
;
王占国
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浏览/下载:914/267
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提交时间:2010/11/23