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Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:  Wang XH;  Song AM;  Liu J;  Cheng WC;  Li GH;  Li CF;  Li YX;  Yu JZ;  Wang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas/algaas  Quantum Dot Array  Etching Method  Photoluminescence  Wires  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  汪连山;  刘祥林;  岳国珍;  王晓晖;  汪度;  陆大成;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  汪连山;  陆大成;  汪度;  王晓晖;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  汪连山;  陆大成;  王晓晖;  汪度;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  汪连山;  陆大成;  王晓晖;  汪度;  林兰英
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