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| Normal-incident SiGe/Si MQWs photodetectors operating at 1.3 mu m 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者: Cheng BW; Li C; Yang QQ; Wang HJ; Luo LP; Yu JZ; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Sige/si Mqws Photodetector 1.3 Mu-m Si/sio2 |
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作者: Respaud M; Goiran M; Broto JM; Yang FH; Ould-Ely T; Amiens C; Chaudret B; Respaud M,Inst Natl Sci Appl Complexe Sci Rangueil,Phys Mat Condensee Lab,Serv Natl Champs Magnet Pulses,F-31077 Toulouse,France.
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作者: 李成; 杨沁清; 王启明
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作者: 李成; 杨沁清; 王启明
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作者: 张兴宏; 程知群; 夏冠群; 徐元森; 杨玉芬; 王占国
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作者: 徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 陈良惠 ; 沈光地
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yan XJ(颜学进); Xu GY(许国阳); Zhu HL(朱洪亮); Zhou F(周帆); Wang XJ(汪孝杰); Zhang JY(张静媛); Tian HL(田慧良); Ma CH(马朝华); Shu HY(舒惠云); Bai YX(白云霞); Bi KK(毕可奎); Wu RH(吴荣汉); Wang QM(王启明); Wang W(王圩)
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