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Visible vertical cavity surface emitting laser 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Cheng P;  Ma XY;  Gao JH;  Kang XJ;  Cao Q;  Wang HJ;  Luo LP;  Zhang CH;  Lu XL;  Lin SM;  Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiconductor Lasers  Oxidation  
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD 会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Lian P;  Wang LM;  Zhang XY;  Yang YL;  Zhang HQ;  Wang GH;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algainp  Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹福年;  卜俊鹏;  吴让元;  郑红军;  惠峰;  白玉珂;  刘明焦;  何宏家
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴荣汉;  陈志标;  陈弘达;  高文智;  曹明翠;  万安君;  刘中林;  李洪谱
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  尹峰;  李学萍;  肖绪瑞;  张宝文;  曹怡;  李国华;  韩和相;  汪兆平
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