×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体照明研发... [6]
作者
文献类型
学位论文 [4]
期刊论文 [2]
发表日期
2016 [6]
语种
中文 [1]
出处
AIP Advanc... [1]
Applied Ph... [1]
资助项目
收录类别
SCI [2]
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
发表日期:2016
专题:中科院半导体照明研发中心
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
无权访问的条目
学位论文
作者:
黄宇亮
Adobe PDF(3699Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:601/122
  |  
提交时间:2016/06/06
AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究
学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:926/78
  |  
提交时间:2016/06/01
Algan/gan Hfet
特征导通电阻
击穿电压
增强型器件
阈值电压
Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
张硕
Adobe PDF(3543Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:914/197
  |  
提交时间:2016/06/12
Aln
溅射法
Si(100)衬底
氧污染
椭偏测量
无权访问的条目
学位论文
作者:
任鹏
Adobe PDF(6255Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:285/21
  |  
提交时间:2016/05/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yanan Liang
;
Lifang Jia
;
Zhi He
;
Zhongchao Fan
;
Yun Zhang
;
Fuhua Yang
Adobe PDF(851Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:274/1
  |  
提交时间:2017/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shuo Zhang
;
Ping Ma
;
Boting Liu
;
Dongxue Wu
;
Yuliang Huang
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
Adobe PDF(1088Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:277/1
  |  
提交时间:2017/03/16