SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究
张硕
学位类型硕士
导师段瑞飞
2016-05-26
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业材料物理与化学
关键词Aln 溅射法 Si(100)衬底 氧污染 椭偏测量
学科领域半导体材料
公开日期2016-06-12
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27201
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张硕. Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2016.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
硕士学位论文(定稿2).pdf(3543KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[张硕]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[张硕]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[张硕]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。