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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hvpe  Gan  Nitridation  Polarity  Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Bian LF;  Uesugi M;  Nosho H;  Tackeuchi A;  Niu ZC;  Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu@waseda.jp
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Jahn U;  Chen J;  Li DY;  Zhang SM;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Yang H;  Ploog K;  Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  NIU Zhihong;  REN Zhengwei;  HE Zhenhong
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Rui;  Zhang Fan;  Zhao Youwen;  Dong Zhiyuan;  Yang Jun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu Chichi;  Zhang Shuming;  Yang Hui;  Liang Junya
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Liu W;  Lu GJ;  Zhang LQ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhao DG;  Zhang SM;  Jiang DS;  Wang YT;  Yang H;  Israr M;  Majid, A, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: abdulmajid40@yahoo.com
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