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| 基于激光退火的 InGaN 基绿光 LED 效率提升研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 王新维![](/image/person.jpg)
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| 基于高温退火AlN模板的深紫外激光二极管MOVPE生长研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 王大地
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张连; 魏学成; 路坤熠; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| GaN 基垂直结构 LED 工艺研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2013 作者: 汪炼成
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 贠利君 ; 魏同波 ; 刘乃鑫 ; 闫建昌 ; 王军喜; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄亚军; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王良臣; 王军喜; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 潘岭峰; 李琪; 刘志强 ; 王晓峰 ; 伊晓燕 ; 王良臣; 王军喜
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王兵 ; 李志聪 ; 姚然; 梁萌 ; 闫发旺; 王国宏
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| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华 ; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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