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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou, WF; Ye, XL; Xu, B; Zhang, SZ; Wang, ZG
 Adobe PDF(885Kb) |  收藏 | 浏览/下载：701/187 | 提交时间：2013/03/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li L; Nie Y; Shi XT; Wu HK; Ye DT; Chen HD; Wu, HK (reprint author), Tohoku Univ, WPI Adv Inst Mat Res, Aoba Ku, 2-1-1 Katahira, Sendai, Miyagi 9808577, Japanchhkwu@ust.hk; yedt6386@sz.tsinghua.edu.cn
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| 2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
主要完成人: 刘巽琅; 叶式中; 赵建群; 焦景华; 曹惠梅
收藏 | 浏览/下载：1124/0 | 提交时间：2010/04/13
磷化铟单晶 |
| 一种去除熔体表面浮渣的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1990-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 焦景华; 佘辉; 叶式中
Adobe PDF(155Kb) | 收藏 | 浏览/下载：962/127 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 叶式中; 杨保华; 徐岭
Adobe PDF(141Kb) | 收藏 | 浏览/下载：704/216 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: YE SZ; YANG BH; YE SZ CHINESE ACAD SCIINST SEMICONDBEIJINGPEOPLES R CHINA
Adobe PDF(359Kb) | 收藏 | 浏览/下载：876/210 | 提交时间：2010/11/15 |
| 高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 成果
1986
主要完成人: 林兰英; 叶式中; 何宏家; 方兆强; 曹福年
收藏 | 浏览/下载：1077/0 | 提交时间：2010/04/13
半绝缘gaas |
| 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
主要完成人: 叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华
收藏 | 浏览/下载：1104/0 | 提交时间：2010/04/13
磷化铟 |
| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 周文飞; 徐波; 叶小玲; 张世著; 王占国
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| 制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 张世著; 叶小玲; 徐波; 王占国
Adobe PDF(401Kb) | 收藏 | 浏览/下载：702/83 | 提交时间：2014/11/24 |
