制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法
张世著; 叶小玲; 徐波; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-06-05
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-01-28
申请号CN201310032256.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25680
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张世著,叶小玲,徐波,等. 制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法.
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