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微机电系统（MEMS）器件低温封装方法研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  方志强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凯;  刘忠立;  于芳;  高见头;  肖志强;  洪根深
Adobe PDF(790Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1191/397  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启元;  林兰英;  何自强;  龚义元;  蔡田海;  郁元桓;  何龙珠;  高秀峰;  王建华;  邓惠芳
Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1064/296  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  FANG ZQ;  SHAN L;  SCHLESINGER TE;  MILNES AG;  FANG ZQ CARNEGIE MELLON UNIVDEPT ELECT & COMP ENGNPITTSBURGHPA 15213
Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：586/130  |  提交时间：2010/11/15
高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 成果
1986
主要完成人:  林兰英;  叶式中;  何宏家;  方兆强;  曹福年
收藏  |  浏览/下载：1165/0  |  提交时间：2010/04/13
半绝缘gaas  
提高砷化镓材料质量的研究 成果
1985
主要完成人:  林兰英;  彭瑞伍;  林耀望;  莫培根;  方兆强
收藏  |  浏览/下载：1169/0  |  提交时间：2010/04/13
砷化镓材料  
基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102502481A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-06-20, 2012-06-20, 2012-09-07
发明人:  毛旭;  方志强;  杨晋玲;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：684/5  |  提交时间：2016/08/30
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：657/5  |  提交时间：2016/08/30