SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器
赵凯; 刘忠立; 于芳; 高见头; 肖志强; 洪根深
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:7Pages:1139-1143
Abstract介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×10~(11) rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国电子科技集团第58研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2836022
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16301
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵凯,刘忠立,于芳,等. 抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器[J]. 半导体学报,2007,28(7):1139-1143.
APA 赵凯,刘忠立,于芳,高见头,肖志强,&洪根深.(2007).抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器.半导体学报,28(7),1139-1143.
MLA 赵凯,et al."抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器".半导体学报 28.7(2007):1139-1143.
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