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| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1497/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟 Adobe PDF(695Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1093/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1124/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1250/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1101/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1143/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1167/128  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单相钆硅化合物以及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1069/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 正交频分复用系统帧同步结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 石寅; 刘扬 Adobe PDF(490Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:935/124  |  提交时间:2009/06/11 |
| 正交频分复用系统定时同步方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 石寅; 刘扬 Adobe PDF(530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:883/125  |  提交时间:2009/06/11 |